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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2024-02-29
公开（公告）日：2024-05-28
公开（公告）号：CN118102727A
主分类号：H10B43/30
分类号：H10B43/30;H10B43/20
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开
摘要：本申请提供一种嵌入式3DSONOS存储器及其制造方法，该嵌入式3DSONOS存储器的结构由一个横向的存储管和一个纵向的选择管组成，相邻的两个选择管共用一个源端，并且源端与选择管通过第三多晶硅层和第二多晶硅层共接在一起，存储区存储管的栅极与逻辑区逻辑管的栅极均由第一多晶硅层构成。本申请具有以下有益效果：1存储区存储管与逻辑区逻辑管使用同一多晶硅，制造工艺更便捷；2逻辑区阱的注入与ONO的刻蚀使用同一光罩版，可降低光罩成本；3制造过程中使用多次自对准工艺，有利于降低光罩成本和缩小尺寸；4通过多晶硅层将相邻两个选择管和其中间的源端连在一起，可减少接触孔数量，有利于尺寸缩小。
主权项：1.一种嵌入式3DSONOS存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤一，提供一衬底，在所述衬底中形成有源区；步骤二，存储区阱注入后，在所述衬底上形成ONO电荷存储层；步骤三，逻辑区阱注入后，去除位于所述逻辑区的ONO电荷存储层；步骤四，逻辑区栅氧化层生长；步骤五，在所述衬底上依次形成第一多晶硅层和硬掩模层；步骤六，刻蚀位于所述存储区的硬掩模层后，在所述衬底上形成第一氧化层；步骤七，自对准刻蚀所述第一氧化层，以形成存储管顶部氧化层；步骤八，自对准刻蚀所述第一多晶硅层；步骤九，在所述衬底上形成第二氧化层；步骤十，自对准刻蚀所述第二氧化层、所述ONO电荷存储层和所述衬底，以形成存储区隔离氧化层和选择管栅极区沟槽；步骤十一，选择管栅氧化层生长后，在所述衬底上形成第二多晶硅层；步骤十二，自对准刻蚀所述第二多晶硅层后，选择管源端注入；步骤十三，刻蚀所述选择管栅氧化层后，在所述衬底上生长并研磨第三多晶硅层，以形成选择管栅极；步骤十四，去除所述硬掩模层后，刻蚀所述第一多晶硅层，以形成存储管栅极和逻辑管栅极；步骤十五，形成侧墙后，实施源漏注入。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 嵌入式3D SONOS存储器及其制造方法
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