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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2024-03-21
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231478A
主分类号：H01L29/792
分类号：H01L29/792;H01L29/423;G11C16/04;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供一种SONOS存储器件，包括P型衬底；位于P型衬底内的N阱；位于N阱上的ONO介质层，ONO介质层由下至上依次包括阻挡氧化层、电荷存储层和隧穿氧化层；位于ONO介质层上的栅极；位于栅极两侧的N阱中且均为P型掺杂的源极和漏极。本发明还提供一种SONOS存储器件的操作方法，在N阱、栅极、源极和漏极施加各操作电压，以实现对SONOS存储器件的写入、擦除和读取操作。本发明的SONOS存储器件衬底沟道上有厚氧化层的阻挡作用，在栅极和衬底有压差时，沟道里的热载流子注入到电荷存储层的几率大大降低，抗热载流子串扰的能力大大增强，而且栅极采用P型掺杂多晶硅，空穴为多数载流子，在进行操作时，空穴能够更有效率地注入到电荷存储层中，提升了电路性能。
主权项：1.一种SONOS存储器件，其特征在于，基于PMOS管，包括：P型衬底；N阱，位于所述P型衬底中；ONO介质层，位于所述N阱上方；栅极，位于所述ONO介质层上方；以及源极和漏极，位于所述栅极两侧的所述N阱中且均为P型掺杂；所述栅极为P型掺杂多晶硅栅极；所述ONO介质层为三层的叠层结构，从下到上依次包括阻挡氧化层、电荷存储层和隧穿氧化层；电子或空穴从所述栅极通过所述隧穿氧化层进入所述电荷存储层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种SONOS存储器件及其操作方法
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