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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日：2021-04-28
公开（公告）日：2024-05-31
公开（公告）号：CN113013175B
主分类号：H10B43/35
分类号：H10B43/35;H01L21/02
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.31#授权;2021.07.09#实质审查的生效;2021.06.22#公开
摘要：本发明提供了一种SONOS器件的制作方法，首先提供一半导体基底，半导体基底定义有存储管区、选择管区和外围逻辑区，半导体基底上形成有ONO层，ONO层覆盖存储管区、选择管区和外围逻辑区，然后在所述半导体基底的正面涂覆光刻胶并显影，打开选择管区和外围逻辑区，接着去除选择管区和外围逻辑区的ONO层后进行表面清洗，然后再在半导体基底的正面涂覆光刻胶并显影，打开所述存储管区和选择管区，最后在存储管区和选择管区进行离子注入后进行表面清洗。本发明通过在SONOS器件的制作过程中进行两次表面清洗，从而达到良好的清洗效果，实现将残留的聚合物和光刻胶彻底清除，可有效改善后续离子注入的均匀性，改善器件均一性和可靠性。
主权项：1.一种SONOS器件的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体基底，所述半导体基底定义有存储管区、选择管区和外围逻辑区，所述半导体基底上形成有ONO层和牺牲氧化层，所述ONO层覆盖在所述牺牲氧化层上，所述ONO层覆盖在所述存储管区、所述选择管区和所述外围逻辑区；在所述半导体基底的正面涂覆光刻胶并显影，打开所述选择管区和所述外围逻辑区；去除所述选择管区和所述外围逻辑区的ONO层和所述牺牲氧化层；进行表面清洗；在所述半导体基底的正面涂覆光刻胶并显影，打开所述存储管区和所述选择管区；在所述存储管区和所述选择管区进行离子注入；进行表面清洗。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力微电子有限公司 一种SONOS器件的制作方法
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