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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2024-03-28
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118234244A
主分类号：H10B43/40
分类号：H10B43/40;H10B43/35
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供了一种SONOS存储器件及其制造方法，应用于半导体技术领域，具体的，通过在每个存储单元的存储区内设置两个SONOS存储管的方式实现一存储单元存储两比特数据的目的，并通过逻辑管和存储管的多晶硅栅极分别生长、刻蚀的工艺步骤，使得在存储区内的第一导电类型阱和第一轻掺杂漏区的形成过程中，其逻辑区均被已生长的逻辑管多晶硅栅层覆盖，进而可采用同一块光罩执行如上两次离子注入工艺步骤，即达到了节省一块光罩节省了存储区形成第一轻掺杂漏区的光罩、简化SONOS存储器件的制造工艺，且通过逻辑管和存储管的多晶硅栅极是分别生长和刻蚀形成实现了存储管和逻辑管的各向参数均可分别调控，提高了SONOS存储器件的操作灵活性和器件性能的目的。
主权项：1.一种SONOS存储器件的制造方法，所述SONOS存储器件包括多个存储单元，其特征在于，每一所述存储单元的制造方法包括：提供一基底，所述基底包括存储区及逻辑区，所述逻辑区包括第一MOS管区和第二MOS管区；形成栅氧化层和逻辑管多晶硅栅层，所述栅氧化层位于整个所述基底上，所述逻辑管多晶硅栅层位于所述逻辑区的栅氧化层上；形成第一导电类型阱于所述存储区内，并去除所述存储区所对应的栅氧化层；形成电荷存储层和存储管多晶硅栅层，所述电荷存储层覆盖在所述存储区所露出的基底上并延伸覆盖在所述逻辑区的逻辑管多晶硅栅层上，所述存储管多晶硅栅层覆盖在所述电荷存储层上；刻蚀所述存储管多晶硅栅层，以在所述存储区上形成两个分立的存储管栅极，并在所述存储管栅极两侧的基底内形成第一轻掺杂漏区；刻蚀所述逻辑管多晶硅栅层，以在所述第一MOS管区和第二MOS管区上分别形成一分立的逻辑管栅极，并在所述逻辑管栅极两侧的基底内形成第二轻掺杂漏区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种SONOS存储器件及其制造方法
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