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申请/专利权人：国科大杭州高等研究院
申请日：2024-05-09
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118156374A
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L31/032;H01L31/109
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.25#实质审查的生效;2024.06.07#公开
摘要：本发明的一种室温中波红外范德华异质结线列探测器的制备方法，包括以下步骤：机械剥离第一单晶二维材料；将第一单晶二维材料转移至PDMS；将PDMS薄片粘贴的第一单晶二维材料转移至第一硅片；对第一单晶二维材料进行刻蚀；将经过刻蚀的第一单晶二维材料转移至第二硅片；制备粘贴窄带隙的单晶二维材料的PDMS薄片；加热第二硅片，倾斜放置的PDMS薄片受热膨胀带动窄带隙的单晶二维材料逐渐由一侧至另一侧覆盖并接触单晶二维材料，直至第一单晶二维材料与窄带隙的单晶二维材料异质结形成；制备异质结；形成线列结构，完成器件制备。本发明能够制备出具有高灵敏高均匀的室温中波红外范德华异质结线列探测器。
主权项：1.一种室温中波红外范德华异质结线列探测器的制备方法，包括以下步骤：S1，机械剥离第一单晶二维材料；S2，将第一单晶二维材料转移至PDMS；S3，将PDMS薄片粘贴的第一单晶二维材料转移至第一硅片，获得位于第一硅片上的第一单晶二维材料；S4，对第一单晶二维材料进行刻蚀；S5，将经过刻蚀的第一单晶二维材料转移至第二硅片；S6，复制步骤S1-步骤S2，制备粘贴窄带隙的单晶二维材料的PDMS薄片；S7，倾斜放置PDMS薄片，降低PDMS薄片，直至窄带隙的单晶二维材料的一侧与步骤S5中的第一单晶二维材料接触前停止，对第二硅片加热，倾斜放置的PDMS薄片受热膨胀带动窄带隙的单晶二维材料逐渐由一侧至另一侧覆盖并接触单晶二维材料，维持第二硅片温度恒定直至第一单晶二维材料与窄带隙的单晶二维材料异质结形成；S8，将第二硅片降至室温后PDMS薄片收缩，抬升PDMS薄片，得到位于第二硅片上的第一单晶二维材料与窄带隙的单晶二维材料异质结；S9，利用电子束光刻与金属沉积技术在异质结定义电极图案，通过刻蚀工艺形成线列结构，完成器件制备。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国科大杭州高等研究院 一种室温中波红外范德华异质结线列探测器的制备方法
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