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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2021-03-30
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN113261086B
主分类号：H01L21/60
分类号：H01L21/60;H01L21/265;H10B80/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2021.08.31#实质审查的生效;2021.08.13#公开
摘要：公开了用于形成半导体器件的方法。根据一些方面，在第一半导体结构的第一衬底上执行第一注入，以在第一衬底中形成掩埋停止层。形成第二半导体器件。将第一半导体结构和第二半导体器件键合。减薄所述第一衬底并去除所述掩埋停止层，并且在减薄的第一衬底上方形成互连层。
主权项：1.一种用于形成三维3D半导体器件的方法，包括：在第一半导体结构的第一衬底中执行第一注入，以在所述第一衬底中形成掩埋停止层；在所述第一衬底中执行第二注入，以在所述第一衬底中形成掺杂半导体层；形成第二半导体结构；将所述第一半导体结构和所述第二半导体结构键合；减薄所述第一衬底并去除所述掩埋停止层；以及在减薄的第一衬底上方形成互连层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 用于使用衬底中的掩埋停止层制造三维半导体器件的方法
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