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【实用新型】可降低残余应力影响的MEMS传感器封装结构_苏州感测通信息科技有限公司_202323284551.9 

申请/专利权人:苏州感测通信息科技有限公司

申请日:2023-12-04

公开(公告)日:2024-06-11

公开(公告)号:CN221117002U

主分类号:B81B7/00

分类号:B81B7/00;B81B7/02

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.11#授权

摘要:本实用新型揭示了一种可降低残余应力影响的MEMS传感器封装结构,与MEMS芯片、ASIC芯片和封装管壳一体封装相关联,特点是该MEMS芯片和ASIC芯片相对封装管壳隔离式贴装成型,其中封装管壳上通过粘结胶贴设有支撑部件,且MEMS芯片和ASIC芯片分别通过粘结胶独立地侧向贴装于支撑部件。应用本实用新型的MEMS传感器封装结构,在芯片封装中引入支撑部件并以支撑部件为媒介,在与芯片的侧面进行粘接的前提下再与封装管壳相粘贴,利用支撑部件本身的变形能降低芯片所受应力,且侧向贴装也可以利用胶体进一步缓冲应力,从而保障并提高MEMS传感器的测量精度。

主权项:1.可降低残余应力影响的MEMS传感器封装结构,与MEMS芯片、ASIC芯片和封装管壳一体封装相关联,其特征在于:所述MEMS芯片和ASIC芯片相对封装管壳隔离式贴装成型,其中所述封装管壳上通过粘结胶贴设有支撑部件,且所述MEMS芯片通过粘结胶独立地侧向贴装于支撑部件,所述ASIC芯片通过粘结胶独立地侧向贴装于支撑部件。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 苏州感测通信息科技有限公司 可降低残余应力影响的MEMS传感器封装结构

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