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申请/专利权人：北京怀柔实验室
申请日：2024-02-08
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118197904A
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02;H01L21/266;H01L21/225;H01L29/06
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：一种波浪形结构半导体、其制备方法及应用。所述半导体结构的制备方法包括：形成位于两种材料界面的、掺杂浓度变化的半导体结构；在所述半导体结构上外延生长形成外延层；根据需要对所述外延层进行受控掺杂，使所述外延层形成缓变外延层，得到最终的半导体结构。本发明的半导体结构的形貌、掺杂浓度、界面过渡要求可以通过设计和工艺相结合，实现高精度控制和制备，形貌要求可控制在纳米级，且深度的最大范围相比传统工艺可提高5倍以上；通过缓变外延的过渡界面调控，以及外延制备异型基区的方式，极大提高了掺杂的浓度的纵向和横向均匀性。本发明的工艺稳定、可控，提高了芯片制备的良率。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：形成位于两种材料界面的、掺杂浓度变化的半导体结构；在所述半导体结构上外延生长形成外延层；根据需要对所述外延层进行受控掺杂，使所述外延层形成缓变外延层，得到最终的半导体结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京怀柔实验室 波浪形结构半导体、其制备方法及应用
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