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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2023-12-15
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118213343A
主分类号：H01L23/48
分类号：H01L23/48;H01L23/528;H01L21/768
优先权：["20221216 KR 10-2022-0177327"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本公开提供了一种半导体芯片。在一些实施例中，半导体芯片包括：半导体基板；集成电路层，所述集成电路层形成在所述半导体基板上；以及多个金属布线层，所述多个金属布线层顺序地形成在所述半导体基板和所述集成电路层上。所述半导体芯片还包括：第一贯通通路结构束，所述第一贯通通路结构束沿垂直方向从所述多个金属布线层中的第一金属布线层朝向所述半导体基板延伸并且穿透所述半导体基板。所述半导体芯片还包括：第二贯通通路结构束，所述第二贯通通路结构束与所述第一贯通通路结构束间隔开，沿所述垂直方向从所述多个金属布线层中的第二金属布线层朝向所述半导体基板延伸，并且穿透所述半导体基板。
主权项：1.一种半导体芯片，所述半导体芯片包括：半导体基板；集成电路层，所述集成电路层形成在所述半导体基板上；多个金属布线层，所述多个金属布线层顺序地形成在所述半导体基板和所述集成电路层上；第一贯通通路结构束，所述第一贯通通路结构束沿垂直方向从所述多个金属布线层中的第一金属布线层朝向所述半导体基板延伸并且穿透所述半导体基板；以及第二贯通通路结构束，所述第二贯通通路结构束与所述第一贯通通路结构束间隔开，沿所述垂直方向从所述多个金属布线层中的第二金属布线层朝向所述半导体基板延伸，并且穿透所述半导体基板。
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