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【发明公布】接合线及半导体装置_拓自达电线株式会社_202280073103.3 

申请/专利权人:拓自达电线株式会社

申请日:2022-10-07

公开(公告)日:2024-06-18

公开(公告)号:CN118215990A

主分类号:H01L21/60

分类号:H01L21/60;C22C5/06

优先权:["20211213 JP 2021-201999"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.18#公开

摘要:本发明的接合线中,In的含量为0.005质量%以上且2.0质量%以下,选自Au和Pd中的1种或2种元素的含量的合计为0.005质量%以上且2.0质量%以下,选自Bi和Cu中的1种或2种以上元素的含量的合计为5质量ppm以上且500质量ppm以下,选自Ca、Mg、Ge、Y、Nd、Sm、Gd、La和Ce中的1种或2种以上元素的含量的合计为0质量ppm以上且500质量ppm以下,其余由Ag构成。由此,长期可靠性优异,可使FAB与电极接触而压扁时的形状成为良好的圆形。

主权项:1.一种接合线,其中,In的含量为0.005质量%~2.0质量%,选自Au和Pd中的1种或2种元素的含量的合计为0.005质量%~2.0质量%,选自Bi和Cu中的1种或2种以上元素的含量的合计为5质量ppm~500质量ppm,选自Ca、Mg、Ge、Y、Nd、Sm、Gd、La和Ce中的1种或2种以上元素的含量的合计为0质量ppm~500质量ppm,其余由Ag构成。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 拓自达电线株式会社 接合线及半导体装置

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