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申请/专利权人：中晶新源(上海)半导体有限公司
申请日：2024-03-27
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231467A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L23/367
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开了一种宽安全工作区的半导体功率器件结构，包括：衬底和外延层，所述外延层设置在衬底上；沟槽，所述沟槽设置在外延层内；绝缘隔离层，所述绝缘隔离层设置在外延层上；接触孔，所述接触孔贯穿绝缘隔离层并延伸至体区内；所述沟槽在水平方向上具有不同的宽度。本发明通过使元胞不同位置的阈值电压不同，根据实际场景以及需求对元胞进行组合，使得器件使用过程中当栅源电压较小时，可以选择部分区域不开启，此时器件本身电流不大，部分区域开启就可以完成工作，部分区域不开启对于整个器件而言功率密度减小，散热能力增强。
主权项：1.一种宽安全工作区的半导体功率器件结构，其特征在于，包括：外延层；沟槽，所述沟槽设置在外延层内；绝缘隔离层，所述绝缘隔离层设置在外延层上；接触孔，所述接触孔贯穿绝缘隔离层并延伸至体区内；所述沟槽在水平方向上具有不同的宽度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中晶新源(上海)半导体有限公司 一种宽安全工作区的半导体功率器件结构
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