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申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日：2021-07-02
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN113517213B
主分类号：H01L21/67
分类号：H01L21/67;H01L21/687
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2021.11.05#实质审查的生效;2021.10.19#公开
摘要：本发明提供一种去气腔室、半导体设备及去气方法，其中，去气腔室包括腔室本体、承载部件、进气结构和加热部件，承载部件设置在腔室本体中，用于承载至少一个晶圆，承载部件通过与晶圆的边缘接触，对晶圆进行承载；进气结构用于将工艺气体引入至腔室本体内，并使经其引入至腔室本体内的工艺气体能够流经承载于承载部件上的晶圆的上表面和下表面；加热部件用于在工艺气体流动至承载于承载部件上的晶圆之前，将工艺气体加热至工艺温度。本发明提供的去气腔室、半导体设备及去气方法，能够提高晶圆的受热均匀性，改善后续工艺的工艺结果，并且能够在同一工艺条件下对不同类型的晶圆进行加热。
主权项：1.一种去气腔室，其特征在于，包括腔室本体、承载部件、进气结构和加热部件，其中，所述承载部件设置在所述腔室本体中，用于承载至少一个晶圆，所述承载部件包括承载主体，所述承载主体上设置有多个承载结构，多个所述承载结构沿竖直方向间隔分布，各所述承载结构均用于通过与所述晶圆的边缘接触，对所述晶圆进行承载，多个所述承载结构用于承载多个所述晶圆；所述进气结构用于将工艺气体引入至所述腔室本体内，并使经其引入至所述腔室本体内的所述工艺气体能够流经承载于所述承载部件上的所述晶圆的上表面和下表面；所述加热部件用于在所述工艺气体流动至承载于所述承载部件上的所述晶圆之前，将所述工艺气体加热至工艺温度，所述加热部件包括能够产生加热光的加热光源，所述加热光源包括至少一个柱状加热灯，各所述柱状加热灯沿竖直方向设置在所述腔室本体的内壁上，且彼此间隔设置；所述进气结构和加热部件均为两组，其中，所述进气结构包括导流部件，两个所述导流部件对称设置于所述承载部件的两侧，形成两个匀气腔，两个所述加热部件分别设置于两个所述匀气腔中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 去气腔室、半导体设备及去气方法
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