龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底；电容结构，所述电容结构位于所述衬底内，所述电容结构包括相绝缘的至少2个第一电极层和至少2个第二电极层，所述至少2个第一电极层和所述至少2个第二电极层间隔层叠设置；第一导电插塞，所述第一导电插塞与所有所述第一电极层电连接；第二导电插塞，所述第二导电插塞与所有所述第二电极层电连接。相较于各个第一电极层和各个第二电极层均与不同导电插塞连接，所述第一导电插塞在垂直衬底表面方向上连接至少2个第一电极层、所述第二导电插塞在垂直衬底表面方向上连接至少2个第二电极层，减少了导电插塞的数量并且减小了导电插塞在平行于衬底表面方向的占用面积。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；电容结构，所述电容结构位于所述衬底内，所述电容结构包括相绝缘的至少2个第一电极层和至少2个第二电极层，所述至少2个第一电极层和所述至少2个第二电极层间隔层叠设置；第一导电插塞，所述第一导电插塞与所有所述第一电极层电连接；第二导电插塞，所述第二导电插塞与所有所述第二电极层电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 半导体结构及其形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号