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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第四区域；栅极结构，位于所述第一区域和第四区域的半导体衬底上；阻挡层，位于所述第一区域的栅极结构上，所述阻挡层包括若干贯穿所述阻挡层的沟槽；介质层，位于所述半导体衬底上和所述栅极结构上并填充所述沟槽，所述介质层的上表面与所述阻挡层的上表面平齐。所述阻挡层以及位于所述沟槽中的介质层都被分成了若干份，每一份的尺寸变小，因此采用化学机械研磨工艺平坦化所述介质层时不容易凹陷，可以提高器件性能。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域以及第四区域；刻蚀所述第一区域的半导体衬底使所述第一区域的半导体衬底表面低于所述第四区域的半导体衬底表面；分别在所述第一区域和第四区域的半导体衬底上形成栅极结构，所述第一区域的栅极结构沿沟道长度方向的尺寸大于所述第四区域的栅极结构沿沟道长度方向的尺寸，所述第一区域的栅极结构顶面低于所述第四区域的栅极结构顶面，所述第一区域的栅极结构厚度大于所述第四区域的栅极结构厚度；在所述第一区域的栅极结构上形成阻挡层，所述阻挡层包括贯穿所述阻挡层的若干沟槽。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
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