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半导体器件的仿真模拟方法 

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申请/专利权人:苏州培风图南半导体有限公司

摘要:本发明提供了一种半导体器件的仿真模拟方法,其包括:步骤一:基于每个网格点对应的网格线上的碰撞电离系数判断这个网格点属于第一类网格点,还是属于第二类网格点;为每个第一类网格点设置一个第一类方程组;为每个第二类网格点设置一个第二类方程组,基于时间步长和对应网格点的电子浓度和空穴浓度的先前已知值确定每个第二类方程组中电子浓度和空穴浓度对时间的偏导数;将所有第一类方程组和所有第二类方程组联合求解得到每个网格点的电子浓度、空穴浓度和电压;步骤二:判断求解结果是否均已稳定,如果否,则重复步骤一,直到求解结果均已稳定。这样,可以解决迭代结果不收敛以及加入时间步长调整后计算量过大耗时过长的问题。

主权项:1.一种半导体器件的仿真模拟方法,在所述半导体器件表面定义有多个网格点和多条网格线,每条网格线连接相邻的两个网格点,每个网格点对应一条或多条网格线,其特征在于,其包括:步骤一:基于每个网格点对应的网格线上的碰撞电离系数判断这个网格点属于第一类网格点,还是属于第二类网格点;为每个第一类网格点设置以这个第一类网格点的电子浓度、空穴浓度和电压为待求参数的一个第一类方程组,第一类方程组中电子浓度和空穴浓度对时间的偏导数为0;为每个第二类网格点设定对应的时间步长,为每个第二类网格点设置以这个第二类网格点的电子浓度、空穴浓度和电压为待求参数的一个第二类方程组,基于所述时间步长和对应网格点的电子浓度和空穴浓度的先前已知值确定每个第二类方程组中电子浓度和空穴浓度对时间的偏导数;将所有第一类网格点的第一类方程组和所有第二类网格点的第二类方程组联合求解每个网格点的电子浓度、空穴浓度和电压;步骤二:判断所有网格点的电子浓度、空穴浓度和电压的当前解是否均已稳定,如果是,则认为所有网格点的电子浓度、空穴浓度和电压的当前解为最终解,如果否,则重复步骤一继续下次求解每个网格点的电子浓度、空穴浓度和电压,直到求得所有网格点的电子浓度、空穴浓度和电压的最终解。

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