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申请/专利权人：昆山索坤莱机电科技有限公司
摘要：本发明高洁净度真空等离子晶圆活化设备，包括工艺腔室主体，工艺腔室主体内部设置有相对应且相配合使用的上电极和下电极，对应上电极，工艺腔室主体上开设有工艺进气口，下电极对应设置有晶圆顶针组件，下电极与晶圆接触面有对应晶圆尺寸的沉降槽，晶圆顶针组件下降，晶圆落入下电极的沉降槽内；上电极的上表面设有镂空区，与工艺腔室主体间形成工艺气体缓存区，上电极的主体开有若干通孔，工艺气体进入工艺气体缓存区后，通过通孔进入工艺腔室主体内部，通孔为不规则分布，以实现进气与排气的均一性，形成生高浓度、低损伤的等离子体输入结构。
主权项：1.一种高洁净度真空等离子晶圆活化设备，其特征在于：包括工艺腔室主体，工艺腔室主体内部设置有相对应且相配合使用的上电极和下电极，对应上电极，工艺腔室主体上开设有工艺进气口，下电极对应设置有晶圆顶针组件，下电极与晶圆接触面有对应晶圆尺寸的沉降槽，晶圆顶针组件下降，晶圆落入下电极的沉降槽内；上电极的上表面设有镂空区，与工艺腔室主体间形成工艺气体缓存区，上电极的主体开有若干通孔，工艺气体进入工艺气体缓存区后，通过通孔进入工艺腔室主体内部，通孔为不规则分布，以实现进气与排气的均一性，形成生高浓度、低损伤的等离子体输入结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 昆山索坤莱机电科技有限公司 高洁净度真空等离子晶圆活化设备
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