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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2024-02-18
公开（公告）日：2024-05-28
公开（公告）号：CN118098958A
主分类号：H01L21/331
分类号：H01L21/331;H01L29/165
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开
摘要：本发明提供一种HBT器件的制造方法，提供衬底，衬底上形成有STI以定义出有源区，在衬底上形成外延层；在外延层上形成第一电介质层，在第一电介质层上形成第二电介质层，利用光刻、刻蚀在第一、二电介质层上形成位于有源区上方的沟槽；形成覆盖沟槽的第一多晶硅层，在第一多晶硅层上形成第三电介质层，利用光刻、刻蚀图形化第三电介质层及其下方的第一多晶硅层、第二电介质层，形成位于有源区上方的叠层结构；在叠层结构上形成第四电介质层，之后刻蚀第四电介质层至第一电介质层裸露；刻蚀第一电介质层至其部分保留在第一多晶硅层的底端侧壁。本发明减少一张光罩的同时也解决了光刻套准的问题，减轻侧墙形成时湿法刻蚀的工艺难度。
主权项：1.一种HBT器件的制造方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有STI以定义出有源区，在所述衬底上形成外延层；步骤二、在所述外延层上形成第一电介质层，在所述第一电介质层上形成第二电介质层，利用光刻、刻蚀在所述第一、二电介质层上形成位于所述有源区上方的沟槽；步骤三、形成覆盖所述沟槽的第一多晶硅层，在所述第一多晶硅层上形成第三电介质层，利用光刻、刻蚀图形化所述第三电介质层及其下方的所述第一多晶硅层、所述第二电介质层，形成位于所述有源区上方的叠层结构；步骤四、在所述叠层结构上形成第四电介质层，之后刻蚀所述第四电介质层至所述第一电介质层裸露；步骤五、刻蚀所述第一电介质层至其部分保留在所述第一多晶硅层的底端侧壁，所述第二电介质层与所述外延层之间具有间隙；步骤六、在所述外延层上形成填充所述间隙的第二多晶硅层；步骤七、去除所述第一多晶硅层上的所述第三电介质层，利用光刻、刻蚀图形化所述第二多晶硅层、所述外延层形成HBT器件结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 HBT器件的制造方法
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