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申请/专利权人：南京第三代半导体技术创新中心有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;南京第三代半导体技术创新中心
申请日：2024-03-21
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118156311A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.07#公开
摘要：本发明公开了一种多槽式碳化硅槽栅MOSFET功率器件及其制造方法，器件包括：位于第一导电类型外延层之上的第二导电类型外延层；贯穿第二导电类型外延层并延伸入第一导电类型外延层之中的若干沟槽；位于第二导电类型外延层之上、沟槽之中的低阻区；本发明通过第二导电类型外延层实现对栅介质的有效保护，避免了高能注入造成的晶格损伤，降低了工艺成本。通过填覆沟槽的低阻区实现电流路径的通畅，显著减小了器件的导通电阻。本发明同时公开了一种多槽式碳化硅槽栅MOSFET功率器件的制造方法。
主权项：1.一种多槽式碳化硅槽栅MOSFET功率器件，其特征在于，包括，漏极电极；位于漏极电极之上的第一导电类型衬底，位于第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层；位于第一导电类型外延层之上的第二导电类型外延层；贯穿第二导电类型外延层并延伸入第一导电类型外延层之中的若干沟槽；位于第二导电类型外延层之上、沟槽之中的低阻区；位于低阻区之上的第二导电类型阱区；位于第二导电类型阱区之中的第一导电类型源区；贯穿第一导电类型源区、第二导电类型阱区、并延伸入低阻区之中的栅沟槽；位于栅沟槽底部与侧壁的栅介质层；位于栅沟槽之中、被栅介质层三面包围的栅极电极；位于栅极电极、栅介质层和部分第一导电类型源区之上形成隔离介质层；位于隔离介质层两侧及之上的源极电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京第三代半导体技术创新中心有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;南京第三代半导体技术创新中心 多槽式碳化硅槽栅MOSFET功率器件及其制造方法
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