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申请/专利权人：日月新半导体(威海)有限公司
申请日：2024-05-17
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118197987A
主分类号：H01L21/683
分类号：H01L21/683;H01L23/10
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明涉及一种可返修半导体封装结构及其形成方法，属于半导体技术领域。在本发明的可返修半导体封装结构的形成方法中，通过在所述封装基底上形成可剥离粘结层，对所述可剥离粘结层进行图案化处理，以去除所述封装基底的边缘区域的可剥离粘结层，并在剩余的所述可剥离粘结层中形成多个暴露所述封装基底的开口，然后再在封装基底上形成封装树脂层，即形成的半导体封装结构可以进行返修处理，且由于优化可剥离粘结层的图案，使得该可返修半导体封装结构在正常使用过程中保持优异的密封性能。
主权项：1.一种可返修半导体封装结构的形成方法，其特征在于：所述可返修半导体封装结构的形成方法包括以下步骤：提供一封装基底，将半导体芯片倒装连接至所述封装基底；形成底部填充层，所述底部填充层填充在所述半导体芯片与所述封装基底之间的区域；在所述封装基底上形成可剥离粘结层，对所述可剥离粘结层进行图案化处理，以去除所述封装基底的边缘区域的可剥离粘结层，并在剩余的所述可剥离粘结层中形成多个暴露所述封装基底的开口；接着在所述封装基底上喷涂含有金属纳米棒的悬浮液，以形成金属纳米棒屏蔽层；接着在所述封装基底上形成封装树脂层，以形成可返修半导体封装结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日月新半导体(威海)有限公司 一种可返修半导体封装结构及其形成方法
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