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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日：2020-12-11
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN112582464B
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2021.04.16#实质审查的生效;2021.03.30#公开
摘要：公开了一种应变竖直沟道半导体器件及其制造方法及包括这种半导体器件的电子设备。根据实施例，制造半导体器件的方法可以包括：在衬底上设置竖直沟道层，竖直沟道层在横向上的第一侧被第一支撑层保持，在横向上与第一侧相对的第二侧被第二支撑层保持；在竖直沟道层被第二支撑层保持的同时，将第一支撑层替换为第一栅堆叠；以及在竖直沟道层被第一栅堆叠保持的同时，将第二支撑层替换为第二栅堆叠。
主权项：1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上设置竖直沟道层，所述竖直沟道层在横向上的第一侧被第一支撑层保持，在横向上与所述第一侧相对的第二侧被第二支撑层保持，所述竖直沟道层具有竖直方向上的应力，所述竖直沟道层的材料的晶格常数与所述竖直沟道层的材料在无应变时的晶格常数不同；在所述竖直沟道层被所述第二支撑层保持的同时，将所述第一支撑层替换为第一栅堆叠；以及在所述竖直沟道层被所述第一栅堆叠保持的同时，将所述第二支撑层替换为第二栅堆叠。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 应变竖直沟道半导体器件及其制造方法及包括其的电子设备
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