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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日：2024-03-26
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118210193A
主分类号：G03F1/36
分类号：G03F1/36;G03F1/72;G03F1/38;G03F7/20
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明提供了一种OPC修正方法及半导体器件，属于半导体领域。该OPC修正方法包括S1：设计版图图形，并对设计的版图图形进行OPC修正，以获取目标图形，其中，所述版图图形为需要曝光显影的图形；S2：基于添加规则在目标图形的周围添加亚分辨率辅助图形；S3：对添加亚分辨率辅助图形之后的目标图形通过OPC修正模型至少进行一次修正；S4：对通过OPC修正模型修正之后的目标图形进行仿真，以判断通过OPC修正模型修正之后的目标图形是否满足预设规则，若满足预设规则，则输出新版图图形。本发明通过在目标图形的周围添加亚分辨率辅助图形，并且对添加亚分辨率辅助图形之后的目标图形通过OPC修正模型至少进行一次修正，使得目标图形的工艺变化带得到改善，在满足掩膜版可制造性规则的条件下，提升了目标图形的对比度，从而提升了薄弱点工艺窗口。
主权项：1.一种OPC修正方法，其特征在于，包括：S1：设计版图图形，并对设计的版图图形进行OPC修正，以获取目标图形，其中，所述版图图形为需要曝光显影的图形；S2：基于添加规则在目标图形的周围添加亚分辨率辅助图形；S3：对添加亚分辨率辅助图形之后的目标图形通过OPC修正模型至少进行一次修正；S4：对通过OPC修正模型修正之后的目标图形进行仿真，以判断通过OPC修正模型修正之后的目标图形是否满足预设规则，若满足预设规则，则输出新版图图形。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力微电子有限公司 OPC修正方法及半导体器件
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