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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2023-08-24
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN221176220U
主分类号：H01L23/528
分类号：H01L23/528;H01L23/522;H01L21/768
优先权：["20220824 US 17/894,575"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权
摘要：一种互连结构及其半导体装置，互连结构可用于半导体装置。互连结构包含：接触层由金属所制成；一或多个介电层位于接触层之上；沉积层由绝缘材料所制成。互连结构还包含沟槽穿过一或多个介电层，以使沟槽的侧壁表面由一或多个介电层所形成，且沟槽的底表面由接触层的一部分所形成。沉积层位于沟槽之中，且绝缘材料于沟槽的侧壁表面上的厚度至少为绝缘材料于沟槽的底表面上的厚度的2.1倍。
主权项：1.一种互连结构，其特征在于，包括：一接触层，由一金属所制成；一或多个介电层，位于该接触层之上；及一沉积层，由一绝缘材料所制成；其中该互连结构还包含一沟槽，穿过所述一或多个介电层，以使该沟槽的一侧壁表面由所述一或多个介电层所形成，且该沟槽的一底表面由该接触层的一部分所形成，该沉积层位于该沟槽之中，且该绝缘材料于该沟槽的该侧壁表面上的厚度至少为该绝缘材料于该沟槽的该底表面上的厚度的2.1倍。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 互连结构及其半导体装置
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