龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：华润润安科技(重庆)有限公司
申请日：2022-12-23
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248567A
主分类号：H01L21/60
分类号：H01L21/60;H01L21/56;H01L23/48;H01L23/31
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本申请提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构。所述制造方法包括：将多个芯片贴装在载板上，相邻芯片间隔设置；芯片包括芯片正面、芯片背面及芯片侧面，芯片包括设置在芯片正面的控制极和第一极、以及设置在芯片背面的第二极；在各芯片侧面形成绝缘膜层，相邻两个芯片之间的两个绝缘膜层之间存在间隙；形成导电结构，导电结构包括位于各芯片侧部的第一导电部及位于各芯片背面的第二导电部，第一导电部在位于芯片侧部的绝缘膜层之外；第二导电部至少覆盖部分第二极，位于芯片侧部的第一导电部与位于芯片背面的所述第二导电部相连；第一导电部背离芯片背面的表面、控制极背离芯片背面的表面及第一极背离芯片背面的表面在同一平面。
主权项：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：将多个芯片贴装在载板上，相邻所述芯片间隔设置；所述芯片包括芯片正面、与所述芯片正面相对的芯片背面、及连接所述芯片正面与所述芯片背面的多个芯片侧面，所述芯片包括设置在所述芯片正面的控制极和第一极、以及设置在所述芯片背面的第二极；在各所述芯片侧面形成绝缘膜层，相邻两个所述芯片之间的两个所述绝缘膜层之间存在间隙；形成导电结构，所述导电结构包括位于各所述芯片侧部的第一导电部及位于各所述芯片背面的第二导电部，所述第一导电部在位于所述芯片侧部的绝缘膜层之外；所述第二导电部至少覆盖部分所述第二极，位于所述芯片侧部的所述第一导电部与位于所述芯片背面的所述第二导电部相连；所述第一导电部背离所述芯片背面的表面、所述控制极背离所述芯片背面的表面及所述第一极背离所述芯片背面的表面在同一平面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华润润安科技(重庆)有限公司 半导体结构的制造方法及半导体结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号