申请/专利权人：华润润安科技(重庆)有限公司

申请日：2022-12-23

公开（公告）日：2024-06-25

公开（公告）号：CN118248570A

主分类号：H01L21/60

分类号：H01L21/60;H01L21/50;H01L21/56;H01L23/538;H01L23/31;H01L23/48

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.25#公开

摘要：本申请提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构。制造方法包括提供半导体中间结构；半导体中间结构包括载板及芯片组件，相邻芯片组件间隔设于载板；芯片组件具有第一芯片和第一导电结构，第一导电结构将第一芯片的第二极引至第一芯片的正面；将第二芯片设在第一芯片上；第二芯片背面朝向第一芯片背面；第二芯片第二极与第二导电部相连；在第二芯片外设置第二导电结构，第二导电结构包括第一部和第二部；第一部将第二芯片的控制极引至第一芯片的正面；第二部将第二芯片的第一极引至第一芯片的正面；第一导电结构、第一芯片的控制极、第一芯片的第一极背离第一芯片背面的表面、第一部和第二部背离第二芯片的正面的表面在同一平面。

主权项：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供半导体中间结构；所述半导体中间结构包括第一载板，及设于所述第一载板上的多个芯片组件，相邻所述芯片组件间隔设置；所述芯片组件具有第一芯片和设置于第一芯片的第一导电结构，其中，所述芯片组件中第一芯片的正面所在的一侧朝向所述第一载板，所述第一芯片的正面设置有控制极和第一极，所述第一芯片的背面设置有第二极；所述第一导电结构包括位于各所述第一芯片侧部的第一导电部及位于各所述第一芯片背面的第二导电部；所述第一导电部与所述第二导电部相连，所述第二导电部至少覆盖所述第一芯片的部分第二极；所述第一导电部外表面设有第一绝缘膜层；将第二芯片设置在第一芯片之上；所述第二芯片的背面朝向所述第一芯片的背面；所述第二芯片的正面设置有控制极和第一极，所述第二芯片的背面设置有第二极；所述第二芯片的第二极与所述第二导电部相连；在所述第二芯片外设置第二导电结构；所述第二导电结构包括与所述第二芯片的控制极连接的第一部、及与所述第二芯片的第一极连接的第二部；所述第一部包括位于各所述第一芯片侧部以及位于各所述第二芯片侧部的第一侧方导电部，和至少覆盖第二芯片正面的部分控制极的第一顶部导电部；所述第一侧方导电部和所述第一顶部导电部相连；所述第二部包括位于各所述第一芯片侧部以及位于各所述第二芯片侧部的第二侧方导电部，和至少覆盖第二芯片正面的部分第一极的第二顶部导电部；所述第二侧方导电部和所述第二顶部导电部相连；所述第二顶部导电部与所述第一顶部导电部间隔；所述第一导电部背离所述第一芯片背面的表面、所述第一芯片的控制极背离所述第一芯片背面的表面、所述第一芯片的第一极背离所述第一芯片背面的表面、所述第一侧方导电部背离所述第二芯片的正面的表面、及所述第二侧方导电部背离所述第二芯片的正面的表面在同一平面。

全文数据：

权利要求：

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