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申请/专利权人：矽磐微电子(重庆)有限公司
申请日：2021-08-16
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN113707566B
主分类号：H01L21/60
分类号：H01L21/60;H01L23/485
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2021.12.14#实质审查的生效;2021.11.26#公开
摘要：本申请提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构。所述制造方法包括：提供待布线结构，待布线结构包括至少一个芯片，芯片具有正面，芯片的正面设有多个焊垫；在芯片的正面形成第一绝缘层，第一绝缘层设有多个开口，每一开口暴露一个焊垫的至少部分；在第一绝缘层背离芯片的一侧形成导电膜层，导电膜层覆盖第一绝缘层背离芯片的表面及焊垫被所述开口暴露的部分，且导电膜层位于第一绝缘层背离芯片一侧的部分的厚度小于导电膜层覆盖焊垫的部分的厚度；将导电膜层超出第一绝缘层的部分去除，得到位于开口内且与焊垫直接接触的导电结构；在第一绝缘层背离芯片的一侧形成再布线结构，再布线结构与导电结构电连接。
主权项：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供待布线结构，所述待布线结构包括至少一个芯片，所述芯片具有正面，所述芯片的正面设有多个焊垫；在所述芯片的正面形成第一绝缘层，所述第一绝缘层设有多个开口，每一所述开口暴露一个所述焊垫的至少部分；在所述第一绝缘层背离所述芯片的一侧形成导电膜层，所述导电膜层覆盖所述第一绝缘层背离所述芯片的表面及所述焊垫被所述开口暴露的部分，且所述导电膜层位于所述第一绝缘层背离所述芯片一侧的部分的厚度小于所述导电膜层覆盖所述焊垫的部分的厚度；将所述导电膜层超出所述第一绝缘层的部分去除，得到位于所述开口内且与所述焊垫直接接触的导电结构；在所述第一绝缘层背离所述芯片的一侧形成再布线结构，所述再布线结构与所述导电结构电连接；所述再布线结构包括多个布线，所述布线与所述导电结构直接接触；所述布线与所述导电结构接触的部分的宽度小于所述导电结构背离所述芯片一侧的表面的宽度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 矽磐微电子(重庆)有限公司 半导体结构的制造方法及半导体结构
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