龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日：2021-04-02
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN115188765B
主分类号：H10B20/25
分类号：H10B20/25
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2022.11.01#实质审查的生效;2022.10.14#公开
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构、半导体结构的制造方法和编程方法，半导体结构包括：基底，位于基底内相互分立的源极和漏极；位于基底内且间隔设置的选择栅极和反熔丝栅极，选择栅极和反熔丝栅极均位于源极和漏极之间，且选择栅极位于反熔丝栅极与源极之间；栅介质层，栅介质层位于基底内，且与选择栅极和反熔丝栅极相接触，栅介质层还位于选择栅极和反熔丝栅极之间；其中，反熔丝栅极与漏极之间的栅介质层适于击穿形成击穿通道，栅介质层下方的基底适于形成与击穿通道连接的导电通道，且源极与反熔丝栅极经由击穿通道以及导电通道连接。本发明实施例可以缩小半导体结构的尺寸。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，位于所述基底内相互分立的源极和漏极；所述漏极的掺杂浓度大于所述源极的掺杂浓度；位于所述基底内且间隔设置的选择栅极和反熔丝栅极，所述选择栅极和所述反熔丝栅极均位于所述源极和所述漏极之间，且所述选择栅极位于所述反熔丝栅极与所述源极之间；栅介质层，所述栅介质层位于所述基底内，且与所述选择栅极和所述反熔丝栅极相接触，所述栅介质层还位于所述选择栅极和所述反熔丝栅极之间；其中，所述反熔丝栅极与所述漏极之间的所述栅介质层适于击穿形成击穿通道，所述栅介质层下方的所述基底适于形成与所述击穿通道连接的导电通道，且所述源极与所述反熔丝栅极经由所述击穿通道以及所述导电通道连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构、半导体结构的制造方法和编程方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号