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申请/专利权人：上海新傲芯翼科技有限公司
申请日：2024-03-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263102A
主分类号：H01L21/18
分类号：H01L21/18
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供一种键合片的处理方法及键合片，先对有源硅层的未键合区域通过研磨进行倒角处理，再利用酸性刻蚀剂进行刻蚀处理，由于酸性刻蚀剂具有横向刻蚀效应，在纵向去除剩余厚度的所述未键合区域的同时，也可以横向进行一部分刻蚀，因此，在进行所述倒角处理时，减小倒角处理的进给深度，如此，便可解决现有技术在进行键合片倒角时会导致顶层硅损失，进而影响到后端器件的产出数量的问题。
主权项：1.一种键合片的处理方法，所述键合片包括衬底硅层、有源硅层和绝缘埋氧层，所述绝缘埋氧层位于所述衬底硅层和所述之间，其特征在于，所述处理方法包括：对所述有源硅层的未键合区域通过研磨进行倒角处理，并保留部分厚度的所述未键合区域，所述倒角处理的进给深度为1.1～1.5D，D为所述衬底硅层边缘缺口的深度；执行刻蚀工艺，所述刻蚀工艺包括第一次选择性刻蚀，所述第一次选择性刻蚀用于完全去除所述未键合区域，所述第一次选择性刻蚀所采用的刻蚀剂为酸性刻蚀剂。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海新傲芯翼科技有限公司 键合片的处理方法及键合片
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