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申请/专利权人：上海新傲芯翼科技有限公司
申请日：2024-03-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263103A
主分类号：H01L21/18
分类号：H01L21/18
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供一种键合片的处理方法及键合片，在去除有源硅层边缘未与衬底硅层相键合的区域时，先利用倒角处理进行初步处理，再利用刻蚀工艺进一步处理，在执行刻蚀工艺时，控制所述键合片处于悬浮旋转状态，可以避免刻蚀液流向底层硅片的背面，与底层硅片背面的氧化层发生反应，造成底层硅晶面背面损伤。
主权项：1.一种键合片的处理方法，所述键合片包括衬底硅层、有源硅层和绝缘埋氧层，所述绝缘埋氧层位于所述衬底硅层和所述有源硅层之间，且所述衬底硅层背面具有氧化层，其特征在于，所述处理方法包括：对所述有源硅层的未键合区域通过研磨进行倒角处理，并保留部分厚度的所述未键合区域；执行刻蚀工艺，以完全去除所述未键合区域，在执行所述刻蚀工艺时，所述键合片的正面朝上，且控制所述键合片处于悬浮旋转状态。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海新傲芯翼科技有限公司 键合片的处理方法及键合片
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皖公网安备 34010402703815号