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申请/专利权人：应用材料公司
申请日：2022-11-15
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118266057A
主分类号：H01J37/32
分类号：H01J37/32
优先权：["20211123 US 63/282,341"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本揭示案的实施方式大体关于适用于半导体处理腔室中的盖。该盖包括多个介电窗，该多个介电窗耦接至穿孔面板。该盖还包括多个支撑构件，该多个支撑构件耦接至该穿孔面板且放置于相邻的介电窗之间。该盖进一步包括多个电感耦合器。电感耦合器中的一者或更多者包括：第一下部分；第二下部分；及桥部。该桥部设置于该多个支撑构件中的至少一者上方。该第一下部分放置于该多个介电窗的第一介电窗上。该第二下部分放置于该多个介电窗的第二介电窗上。该第二介电窗相邻于该第一介电窗。
主权项：1.一种适用于半导体处理腔室中的盖，包括：多个介电窗，所述多个介电窗耦接至穿孔面板；多个支撑构件，所述多个支撑构件耦接至所述穿孔面板且放置于相邻的介电窗之间；及多个电感耦合器，所述多个电感耦合器相邻于所述介电窗放置；其中所述多个介电窗的每一介电窗具有放置于其上方的所述多个电感耦合器中的两个电感耦合器的至少一部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 用于大面积电感耦合等离子体处理设备的多天线单元
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