龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：半导体结构从底部至顶部或从顶部至底部包括栅电极、铁电介电层、富金属的金属氧化物层、介电金属氮化物层和金属氧化物半导体层。可以通过在金属氧化物半导体层上形成源极区域和漏极区域来提供铁电场效应晶体管。富金属的金属氧化物层和介电金属氮化物层使铁电介电层和金属氧化物半导体层之间的界面均匀并且稳定，并且减少界面处的过量氧原子，从而改善铁电场效应晶体管的切换特性。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
主权项：1.一种半导体结构，包括：绝缘材料层，位于衬底上方；以及铁电场效应晶体管，位于所述绝缘材料层上方，其中，所述铁电场效应晶体管从底部至顶部或从顶部至底部包括：栅电极；栅极电介质，包括铁电介电层、富金属的金属氧化物层和介电金属氮化物层的堆叠件；以及金属氧化物半导体层，包括半导体沟道。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体结构及其形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号