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申请/专利权人：锐立平芯微电子(广州)有限责任公司
摘要：本申请涉及一种半导体测试结构及其测试方法，包括第一鳍形有源区；第二鳍形有源区，位于第一鳍形有源区的一侧，第一互连结构，与第一鳍形有源区相接触；第二互连结构，位于第一鳍形有源区邻近第一互连结构的一端，与第二鳍形有源区相接触；第三互连结构，与第二鳍形有源区相接触；第一栅极，位于第一鳍形有源区的一端，且位于第一互连结构与第二互连结构之间，并横跨第二鳍形有源区；第二栅极，位于第二互连结构与第三互连结构之间，且横跨第二鳍形有源区。本申请中的半导体测试结构而能够通过对半导体测试结构施加测试电压，快速有效地发现半导体结构中各种布局图形引起的缺陷。
主权项：1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：第一鳍形有源区；第二鳍形有源区，位于所述第一鳍形有源区的一侧，与所述第一鳍形有源区平行间隔排布；所述第二鳍形有源区的长度大于所述第一鳍形有源区的长度；第一互连结构，与所述第一鳍形有源区相接触；第二互连结构，位于所述第一鳍形有源区邻近所述第一互连结构的一端，与所述第二鳍形有源区相接触；第三互连结构，与所述第二鳍形有源区相接触；第一栅极，位于所述第一鳍形有源区的一端，且位于所述第一互连结构与所述第二互连结构之间，并横跨所述第二鳍形有源区；第二栅极，位于所述第二互连结构与所述第三互连结构之间，且横跨所述第二鳍形有源区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 锐立平芯微电子(广州)有限责任公司 半导体测试结构及其测试方法
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