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申请/专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日：2024-02-28
公开（公告）日：2024-05-28
公开（公告）号：CN118099256A
主分类号：H01L31/101
分类号：H01L31/101;H01L31/0336;H01L31/0224;H01L31/18
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开
摘要：本发明属于红外探测技术领域，具体涉及一种碲镉汞范德华异质结单极势垒型红外探测器及制备方法。本发明提供的碲镉汞范德华异质结单极势垒型红外探测器，包括碲镉汞材料层2、二维半导体材料层4和石墨烯材料层5通过范德华力结合形成的范德华异质结，从而使器件能够在无需外部制冷的条件下实现中波红外探测功能，有效降低了碲镉汞红外探测器件的制冷要求，避免了低温工作器件中读出电路和制冷机的相关影响。综上，本发明提供的碲镉汞范德华异质结单极势垒型红外探测器能够在无需外加制冷的情况下实现中波红外探测功能，避免了传统外延势垒型碲镉汞探测器中复杂势垒缓冲层结构，能够实现室温高性能红外探测，具有工作温度高、响应灵敏等优点。
主权项：1.一种碲镉汞范德华异质结单极势垒型红外探测器，其特征在于，包括：衬底1；设置于所述衬底1表面的碲镉汞材料层2；设置于所述碲镉汞材料层2表面彼此相离的第一绝缘层3-1、第二绝缘层3-2和第三绝缘层3-3，且所述第一绝缘层3-1和第三绝缘层3-3分别位于所述碲镉汞材料层2的两端；设置于所述第一绝缘层3-1和第二绝缘层3-2之间的碲镉汞材料层2表面、第一绝缘层3-1的部分表面和第二绝缘层3-2的部分表面的二维半导体材料层4；设置于所述二维半导体材料层4表面的石墨烯材料层5；所述石墨烯材料层5包括第一凸起部位和第二凸起部位，所述第一凸起部位位于第一绝缘层3-1的上方；所述碲镉汞材料层2、二维半导体材料层4和石墨烯材料层5通过范德华力结合形成范德华异质结；设置于所述第一凸起部位表面的第一金属电极6-1；设置于所述第二绝缘层3-2和第三绝缘层3-3之间的碲镉汞材料层2表面、第二绝缘层3-2的部分表面和第三绝缘层3-3的部分表面的第二金属电极6-2；所述第二金属电极6-2与二维半导体材料层4和石墨烯材料层5相离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海技术物理研究所 一种碲镉汞范德华异质结单极势垒型红外探测器及制备方法
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