申请/专利权人：日立能源有限公司

申请日：2022-03-22

公开（公告）日：2024-06-07

公开（公告）号：CN117063292B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/423;H01L29/16;H01L29/06;H01L29/04;H01L29/739

优先权：["20210322 EP 21163959.6"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.07#授权;2024.04.12#专利申请权的转移;2023.12.01#实质审查的生效;2023.11.14#公开

摘要：在至少一个实施例中，功率半导体器件1包括：‑半导体本体2，‑至少一个第一导电类型的源极区21，‑至少一个第二导电类型的沟道区22，该至少一个沟道区处于至少一个源极区21下方，‑第一导电类型的漂移区23，该漂移区处于至少一个沟道区22下方，以及‑至少一个沟槽4，该至少一个沟槽从半导体本体2的顶侧20延伸穿过至少一个源极区21和至少一个沟道区22并终止于漂移区23中，其中‑至少一个沟槽4容纳栅电极34，并且‑在顶侧20的俯视图中所见，至少一个沟槽4包括非线性延伸的侧壁44。

主权项：1.一种功率半导体器件1，包括：-半导体本体2，-第一导电类型的源极区21，所述源极区在所述半导体本体2中处于所述半导体本体的顶侧20，-至少一个第二导电类型的沟道区22，所述至少一个沟道区在所述半导体本体2中处于所述源极区21下方，-多个所述第二导电类型的插塞25，所述多个插塞在所述半导体本体2的所述顶侧20处，所述插塞25提供从所述顶侧20到所述至少一个沟道区22的电接触路径，-所述第一导电类型的漂移区23，所述漂移区在所述半导体本体2中处于所述至少一个沟道区22下方，-至少一个沟槽4，所述至少一个沟槽从所述顶侧20延伸穿过所述源极区21和所述至少一个沟道区22并终止于所述漂移区23中，以及-屏蔽区27，所述屏蔽区是所述第二导电类型的，并且位于所述至少一个沟槽4的底侧29的至少一部分下方，其中，-所述至少一个沟槽4容纳栅电极34，所述栅电极34通过栅绝缘体35与半导体本体电隔离；-在所述顶侧20的俯视图中所见，所述至少一个沟槽4包括非线性延伸的侧壁44，并且-在所述顶侧20的俯视图中所见，所述至少一个沟槽4包括多个分支42以及包括笔直延伸的中心管道41，所述多个分支42中的每一个从所述中心管道41分支出来，所述屏蔽区27至少部分地在所述分支42中的至少一个下方延伸，-所述屏蔽区27限于所述分支42，使得在所述顶侧20的俯视图中所见，所述中心管道41的面积的至少90％没有所述屏蔽区27，以及-在所述顶侧20的俯视图中所见，存在与所述至少一个沟槽4相邻的笔直条带48，所述至少一个沟槽4位于两个相邻的笔直条带48之间，在所述笔直条带48中，所述至少一个源极区21的部分和所述插塞25的部分以交替方式布置，-所述插塞25与所述至少一个沟道区22连接，-所述源极区21处于所述分支42的前端处，使得在所述分支42靠近所述条带48的拐角处，所述插塞25触碰所述沟槽4，或相邻分支42之间的所述源极区21与所述条带48中的所述源极区21合并，使得每个侧壁44可以提供一个连续的源极区21，-相邻分支42之间的区域由所述源极区21组成，以及-在中心管道的两侧提供分支，使得所述侧壁44中的每一个包括所述分支42中的多个。

全文数据：

权利要求：

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