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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
申请日：2024-01-17
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248624A
主分类号：H01L21/768
分类号：H01L21/768;H01L21/84;H01L27/12
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供一种SOI衬底引出的制造方法，提供衬底，衬底上形成有绝缘层以及位于绝缘层上的硅层，衬底上形成有浅沟槽隔离以定义出有源区，硅层上形成有栅极结构以及位于栅极结构两侧的源、漏区，硅层及其下方的绝缘层上形成有用于引出衬底的沟槽；在衬底上形成第一刻蚀停止层，在第一刻蚀停止层上形成第一层间介质层，使得有源区以及沟槽上的第一层间介质层形成有高度差；在第一层间介质层上形成第二刻蚀停止层，在第二刻蚀停止层上形成第二层间介质层；利用光刻、第一次刻蚀在第二层间介质层上形成接触孔，第一次刻蚀停止在第二刻蚀停止层上。本发明可以确保沟槽上的接触孔与衬底接触完全；本发明的方法不需进行多次曝光。
主权项：1.一种SOI衬底引出的制造方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有绝缘层以及位于所述绝缘层上的硅层，所述衬底上形成有浅沟槽隔离以定义出有源区，所述硅层上形成有栅极结构以及位于所述栅极结构两侧的源、漏区，所述硅层及其下方的所述绝缘层上形成有用于引出所述衬底的沟槽；步骤二、在所述衬底上形成第一刻蚀停止层，在所述第一刻蚀停止层上形成第一层间介质层，使得所述有源区以及所述沟槽上的所述第一层间介质层形成有高度差；步骤三、在所述第一层间介质层上形成第二刻蚀停止层，在所述第二刻蚀停止层上形成第二层间介质层；步骤四、利用光刻、第一次刻蚀在所述第二层间介质层上形成接触孔，所述第一次刻蚀停止在所述第二刻蚀停止层上；步骤五、利用第二次刻蚀继续刻蚀所述接触孔的底部，使得所述接触孔的底部与所述栅极结构、所述源、漏区和所述沟槽底部的所述衬底接触；步骤六、利用淀积、研磨形成填充所述接触孔的金属层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 SOI衬底引出的制造方法
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