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申请/专利权人：芯联集成电路制造股份有限公司
申请日：2024-04-09
公开（公告）日：2024-07-09
公开（公告）号：CN118306946A
主分类号：B81C1/00
分类号：B81C1/00;B81B7/02;H04R19/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.26#实质审查的生效;2024.07.09#公开
摘要：本申请实施例涉及一种MEMS器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底包括背腔预设区；在衬底上形成第一牺牲层；形成贯穿第一牺牲层的开口，开口暴露出衬底的部分区域，部分区域位于背腔预设区外周；形成连接结构和振膜，连接结构填充于开口内并与衬底直接接触，振膜位于第一牺牲层上并与连接结构直接接触；去除部分衬底，以在背腔预设区形成背腔；以及，去除至少部分第一牺牲层，以形成下空腔，下空腔暴露振膜的朝向衬底的表面，且与背腔连通；其中，衬底的导电类型、连接结构的导电类型、以及振膜的导电类型一致，以使衬底与振膜能够导通。由此，去除牺牲层过程中产生的自由电荷在进入振膜后，可以通过连接结构转移至衬底中，避免大量自由电荷堆积在振膜中，减少电化学反应的发生，减少对振膜的损伤。
主权项：1.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括背腔预设区；在所述衬底上形成第一牺牲层；形成贯穿所述第一牺牲层的开口，所述开口暴露出所述衬底的部分区域，所述部分区域位于所述背腔预设区外周；形成连接结构和振膜，所述连接结构填充于所述开口内并与所述衬底直接接触，所述振膜位于所述第一牺牲层上并与所述连接结构直接接触；去除部分所述衬底，以在所述背腔预设区形成背腔；以及，去除至少部分所述第一牺牲层，以形成下空腔，所述下空腔暴露所述振膜的朝向所述衬底的表面，且与所述背腔连通；其中，所述衬底的导电类型、所述连接结构的导电类型、以及所述振膜的导电类型一致，以使所述衬底与所述振膜能够导通。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯联集成电路制造股份有限公司 MEMS器件及其制备方法
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