申请/专利权人:西湖大学
申请日:2024-02-27
公开(公告)日:2024-06-14
公开(公告)号:CN118197924A
主分类号:H01L21/4763
分类号:H01L21/4763;H01L21/34;H01L29/78
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.07.02#实质审查的生效;2024.06.14#公开
摘要:本发明公开了一种基于范德华接触制备半导体器件的方法以及制备得到的器件,包括:低温真空环境下,在半导体衬底表面形成冰层,在冰层表面沉淀金属薄膜;最后冰层升华,金属薄膜沉降到半导体衬底表面,形成范德华接触,获得金属‑半导体器件。本发明的半导体器件的制备方法,工艺更简单,不需要高温条件,不需要使用有机溶剂,环境友好,避免了溶剂或者高温处理条件对器件的影响,同时对于温度敏感的半导体衬底也可以实现快速高效的加工,且得到的半导体器件性能更加优良,得到的场效应管的导通‑关断比以及迁移率均很高,且无迟滞现象。
主权项:1.一种基于范德华接触制备半导体器件的方法,其特征在于,包括:低温真空环境下,在半导体衬底表面形成冰层,在冰层表面沉淀金属薄膜;最后冰层升华,金属薄膜沉降到半导体衬底表面,形成范德华接触,获得金属-半导体器件。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 西湖大学 一种基于范德华接触制备半导体器件的方法及器件
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